特許

J-GLOBAL ID：200903006895978055

レーザ加工用誘電体マスクとその製造方法

発明者： 雨宮 恭子 ,  寺林 隆夫 ,  佐藤 秀己 ,  外川 英男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022302
公開番号（公開出願番号）：特開平7-227687
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】リフトオフ法により高いパターン精度を有するレーザ加工用誘電体マスクを製造する方法、及びこの方法により製造されたレーザ加工用誘電体マスクを提供すること。【構成】使用する波長のレーザ光を透過する基板上に、ポリイミド系の材料をパターンを成して形成することによりリフトオフ層を形成した後、誘電体多層膜を成膜する。その後、リフトオフ層と共にリフトオフ層上の誘電体多層膜を除去することにより、レーザ加工用誘電体マスクを製造する。【効果】パターン精度が良好で、レーザ耐性の高い誘電体マスクを、安価で容易に製造することが可能である。

請求項（抜粋）：

所望のレ-ザ光を透過する基板上にポリイミド系の材料を用いてリフトオフ用パターンを形成するリフトオフ層形成工程と、該リフトオフ用パターンを形成した前記基板上に誘電体多層膜を成膜する誘電体多層膜形成工程と、前記リフトオフ用パターンと該リフトオフ用パターン上に形成された前記誘電体多層膜とを前記基板上から除去する工程と、を有することを特徴とするレーザ加工用誘電体マスクの製造方法。

IPC (7件)：

B23K 26/06 ,  G03F 1/00 ,  G03F 7/027 514 ,  G03F 7/038 504 ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 K