特許
J-GLOBAL ID：200903006898850858
超高温水蒸気を用いた炭化ケイ素単結晶表面酸化膜の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375390
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179048
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 炭化ケイ素単結晶を基板として、金属/酸化膜/半導体構造(MOS構造)の半導体素子を作製する方法に関し、特に1200°Cを越える水蒸気雰囲気中で炭化ケイ素単結晶表面を酸化する方法。【解決手段】 高温に熱した反応管内部に酸素を流しておき、その内部の細いノズルから水素を放出してプラズマ炎を発生させ、そのプラズマ炎が作り出す1200°Cを越える水蒸気雰囲気中で炭化ケイ素単結晶表面を酸化し、その表面に残留炭素原子の少ない高品質の酸化膜を作製する。
請求項（抜粋）：
高温に熱した反応管内部に酸素を流しておき、その内部の細いノズルから水素を放出してプラズマ炎を発生させ、そのプラズマ炎が作り出す1200°Cを越える水蒸気雰囲気中で炭化ケイ素単結晶表面を酸化することを特徴とする、超高温水蒸気を用いた炭化ケイ素単結晶表面酸化膜の作製方法。
Fターム (5件)：
5F058BB10
, 5F058BC02
, 5F058BF52
, 5F058BF56
, 5F058BF63
