特許

J-GLOBAL ID：200903006905199777

半導体基板の研磨方法

発明者： 桜井 道雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342852
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169724
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板に対してCMP(化学機械的研磨)を行なうに際し、半導体基板の表面に残される研磨粒を除去して表面の清浄化を可能にする。【構成】 半導体基板1の表面に絶縁膜4を形成し、この絶縁膜4を研磨剤6を用いてCMP(化学機械的研磨)する研磨方法において、シリコンが露呈された半導体基板1の裏面に薄い絶縁膜5を形成してこの裏面を親水性面とし、その後にCMPを行なって表面絶縁膜4を研磨し、その後に研磨剤6を物理的、化学的に除去する。裏面に薄い酸化膜5を設けて親水性面とすることで、半導体基板1の裏面の研磨剤6が部分的に乾燥して研磨粒7が裏面に付着することを回避し、その後の除去工程における研磨剤の除去効果を高める。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜を研磨剤を用いてCMP(化学機械的研磨)する研磨方法において、シリコンが露呈された前記半導体基板の裏面に薄い絶縁膜を形成してその裏面を親水性面とする工程と、この薄い絶縁膜を形成した後にCMPによる研磨を行う工程と、この研磨後に研磨剤を物理的、化学的に除去する工程を含むことを特徴とする半導体基板の研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 341 ,  B08B 3/08 ,  B24B 37/00