特許

J-GLOBAL ID：200903006909307833

不揮発性半導体メモリのファイル構造

発明者： カート・ブライアン・ロビンソン ,  デイル・ケイ・エルバート ,  マーカス・エイ・レヴィ
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356593
公開番号（公開出願番号）：特開平6-139140
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 ブロック単位でのみ消去可能であるが、第1の論理状態から第2の論理状態に重ね書きすることは不可能である不揮発性半導体メモリのファイル構造の提供。【構成】 不揮発性半導体メモリは第1のファイルを記憶するアクティブブロックと、第2のファイルを記憶する予約ブロックと、ディレクトリブロックとを具備する。第2のファイルは第1のファイルのコピーである。そのコピーはアクティブブロックの消去に先立ってクリーンアップ動作中に作成される。ディレクトリブロックは、第1のファイルを識別するためのディレクトリエントリから成る。

請求項（抜粋）：

ブロック単位でのみ消去可能である不揮発性半導体メモリであって、その各ビットをあらかじめ消去せずに第1の論理状態から第2の論理状態に重ね書きすることは不可能であるが、各ビットをあらかじめ消去せずに第2の論理状態から第1の論理状態に重ね書きすることは可能であるような不揮発性半導体メモリにおいて、(A)第1のファイルを記憶するアクティブブロックと;(B)アクティブブロックの消去に先立ってクリーンアップ動作中に作成される第1のファイルのコピーである第2のファイルを記憶する予約ブロックと;(C)第1のファイルを識別するためのディレクトリエントリから成るディレクトリブロックとを具備する不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G06F 12/06 510 ,  G06F 12/00 520

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-102385
  
• 特開昭62-283496
  
• 特開平2-094198
  
• 特開平2-311935