特許

J-GLOBAL ID：200903006914508243

半導体基板の表面処理方法、半導体装置の製造方法及びそれを行う表面処理装置

発明者： 宮▲崎▼博史 ,  本間 喜夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-200467
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047654
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】銅、銅合金膜を有する半導体基板を、これらの膜の劣化を伴わないで処理する半導体基板の表面処理方法、その方法を用いる半導体装置の製造方法及びこれらの方法を行うのに適した表面処理装置を提供すること。【構成】銅、銅合金が表面に露出している半導体基板をプロトン供与性有機溶媒もしくはプロトン受容性有機溶媒を含有する処理液と室温よりも高い温度で接触させる際に、雰囲気又は処理液中の酸化性物質や水分等を1000ppm以下にして処理する。表面処理装置は、表面処理漕31と洗浄漕32の間を上記雰囲気に保たれた予備室30とする。

請求項（抜粋）：

銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板をプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を含有する処理液に室温よりも高い温度で接触させ、該接触後の半導体基板を、酸化性物質及び水分が1000ppm以下の雰囲気に、所望の時間保つことを特徴とする半導体基板の表面処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308