特許

J-GLOBAL ID：200903006915166834

相補型薄膜半導体装置およびそれを用いた画像情報処理装置

発明者： 河内 玄士朗 ,  小野 記久雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063207
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267662
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】製造工程を増加させることなく、相補型回路を絶縁基板上に形成する。【構成】Nチャネル型の逆スタガTFTの半導体膜の膜厚とPチャネル型の逆スタガTFTの半導体膜の膜厚を異ならせた構造を有する半導体装置。【効果】工程数を増加させずに、高速回路を基板上に内蔵した画像処理装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成したn型トランジスタおよびp型トランジスタからなる相補型薄膜半導体装置において、前記n型トランジスタを構成する半導体層の膜厚と前記p型トランジスタを構成する半導体層の膜厚はn型トランジスタとp型トランジスタを構成する半導体層の膜厚が異なることを特徴とする相補型薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 27/08 321 B