特許
J-GLOBAL ID：200903006919006670
半導体装置の研磨装置及び研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-292420
公開番号（公開出願番号）：特開平10-138123
出願日： 1996年11月05日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハ外周部分における研磨レートの低下を抑え、半導体素子を半導体ウェハ外周近くまで作製可能とすると共に、半導体ウェハ1枚当たりの有効な半導体チップ数を増加させる。【解決手段】 開示される研磨装置は、硬度が相異する上層の硬質材料7及び下層の軟質材料8を積層してなる研磨パッド9を備え、研磨パッド9の上層側の硬質材料7の硬度がJIS-K6301に準拠した95程度に設定されていると共に、研磨パッド9の下層側の軟質材料8の硬度がJIS-K6301に準拠した75以上85以下に設定されている。
請求項（抜粋）：
硬度が相異する上層材料及び下層材料を積層してなる研磨パッドを備え、該研磨パッドに半導体ウェハを押し付けながら該半導体ウェハを研磨する半導体装置の研磨装置であって、前記研磨パッドの上層材料の硬度がJIS-K6301に準拠した95程度に設定されていると共に、前記研磨パッドの下層材料の硬度がJIS-K6301に準拠した75以上85以下に設定されていることを特徴とする半導体装置の研磨装置。
IPC (2件)：
B24B 37/00
, H01L 21/304 341
B24B 37/00 C
, H01L 21/304 341 E
