半導体イオンセンサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安藤淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343106
公開番号（公開出願番号）：特開2004-177239
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】半導体基板が長時間にわたって振動を受けても、参照電極と固体電解質が離脱する可能性が小さい小型半導体イオンセンサを提供する。【解決手段】ISFET2(イオン感応性電界効果トランジスタ)と参照電極31を有し、水溶液中のイオンのセンシングやpHの測定に用いられる半導体イオンセンサに関するものである。大略矩形板状の半導体基板1に、参照電極31と固体電解質32とを備える開口部を有する参照電極用収納部11と、ISFET2とを設けてなる半導体イオンセンサにおいて、前記参照電極用収納部の開口部に、開口部の面積を小さくするように突起状の参照電極用支持部12を設けてなる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

大略矩形板状の半導体基板に、参照電極と固体電解質とを備える開口部を有する参照電極用収納部と、ISFETとを設けてなる半導体イオンセンサにおいて、前記参照電極用収納部の開口部に、開口部の面積を小さくするように突起状の参照電極用支持部を設けてなることを特徴とする半導体イオンセンサ。

IPC (3件)：

G01N27/414 , G01N27/416 , G01N27/49

FI (4件)：

G01N27/30 301V , G01N27/30 301U , G01N27/46 353Z , G01N27/46 306

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