素子分離領域の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078773
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267411
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】CMPにより埋め込み絶縁膜の表面にマイクロ・スクラッチが発生しても、ウェット・エッチの段階でディボットが形成されないSTIの形成方法を提供する。【解決手段】CMPによりマイクロ・スクラッチ115が発生した酸化シリコン膜111aの表面に、有機SOG膜からなる酸化シリコン膜121aが形成される。酸化シリコン膜並びに窒化シリコン膜に対するエッチング速度が等しい異方性エッチングにより窒化シリコン膜103が除去された後、ウェット・エッチングによりパッド酸化膜102の除去しても、ディボットは発生しない。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面に熱酸化によりパッド酸化膜を形成し、該パッド酸化膜を覆う窒化シリコン膜を形成し、素子分離領域の形成予定領域の該窒化シリコン膜およびパッド酸化膜を順次異方性エッチングして、該窒化シリコン膜をマスクにした異方性エッチングにより該シリコン基板の表面に溝を形成し、バイアス・スパッタを伴なった高密度プラズマ励起気相成長法(HD-PECVD)により全面に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜の表面が露出するまで、前記第1の酸化シリコン膜を化学機械研磨(CMP)する工程と、前記窒化シリコン膜並びに第1の酸化シリコン膜の表面を覆う第2の酸化シリコン膜をスピン・コート法もしくは液相成長法(LPD)により形成し、該第2の酸化シリコン膜の緻密化処理を兼て酸化雰囲気で熱処理を行なう工程と、酸化シリコン膜並びに窒化シリコン膜に対するエッチング速度が等しいエッチング・ガスを用いた異方性エッチングにより、前記第2の酸化シリコン膜を除去し、前記窒化シリコン膜並びに前記第1の酸化シリコン膜を除去する工程と、少なくとも前記シリコン基板の表面が露出するまで、前記パッド酸化膜,前記熱酸化膜並びに前記第1の酸化シリコン膜をウェット・エッチングにより除去する工程とを有することを特徴とする素子分離領域の形成方法。

Fターム (12件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032DA04 , 5F032DA10 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA74

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