MoO2粉末の製造法、MoO2粉末から製造された製品、MoO2薄膜の付着およびこのような材料の使用方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-521084
公開番号（公開出願番号）：特表2007-500661
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

本発明は、回転炉または舟形炉(boat furnace)中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なMoO2粉末に関する。加圧/焼結、ホットプレスおよび/またはHIPによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。MoO2のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム-酸化錫(ITO)および亜鉛がドープされたITOの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。MoO2およびMoO2を含有する薄膜は、有機発光ダイオード(OLED)、液晶ディスプレイ(LCD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、電界放出ディスプレイ(FED)、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。

請求項（抜粋）：

高純度のMoO2粉末を製造する方法において、 (a)モリブデン成分を炉内に装入し、この場合モリブデン成分は、アンモニウム二モリブデン酸塩、三酸化モリブデンおよびこれらの組合せ物から構成されている群から選択され、 (b)モリブデン成分を炉内で還元雰囲気下で700°C未満の温度で加熱し、それによって高純度のMoO2粉末を形成させることを特徴とする、高純度のMoO2粉末を製造する方法。

IPC (10件)：

C01G 39/02 , C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01L 33/00 , H01L 31/04 , G02F 1/134 , H01L 51/50 , H05B 33/28 , H01J 31/12 , H01J 11/02

FI (10件)：

C01G39/02 , C23C14/34 A , C23C14/08 J , H01L33/00 E , H01L31/04 M , G02F1/1343 , H05B33/14 A , H05B33/28 , H01J31/12 C , H01J11/02 B

Fターム (57件)：

2H092HA03 , 2H092JA01 , 2H092JA24 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092NA01 , 2H092NA21 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 3K107AA01 , 3K107CC11 , 3K107DD12 , 3K107DD13 , 3K107DD16 , 3K107DD22 , 3K107DD45X , 3K107FF04 , 3K107FF06 , 3K107FF08 , 3K107FF15 , 3K107FF16 , 3K107FF19 , 3K107GG05 , 3K107GG28 , 4G048AA02 , 4G048AB01 , 4G048AC08 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4G048AE07 , 4K029BA43 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC12 , 4K029DC26 , 4K029DC31 , 4K029DC37 , 4K029DC39 , 4K029EA01 , 5C036EE04 , 5C036EE19 , 5C036EG25 , 5C036EH11 , 5C040GC18 , 5C040KA04 , 5C040MA02 , 5C040MA30 , 5F041AA24 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA82 , 5F041CA85 , 5F051BA11 , 5F051FA02 , 5F051FA13 , 5F051FA24

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