特許

J-GLOBAL ID：200903006929931789

半導体集積回路

発明者： 小川 修治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218975
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055533
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】多層配線各層の絶縁膜を平坦化して配線効率の向上を図る。また、重要な信号線の雑音耐性を改善する。【構成】基板上に複数の基本セル列を形成するとともに、該基本セル列間に配線チャネルを設け、該配線チャネルを1層目とし、かつ複数の配線層を持つ半導体集積回路において、前記配線チャネルに形成する配線をチャネルあたり1本とし、かつ該配線を電源配線として使用する。配線チャネルに形成する配線をチャネルあたり3本とし、かつその中の基本セル列に面する2本を電源配線、2本の電源配線に挟まれた1本を信号配線として使用する。また、前記半導体集積回路は、基板全面に複数の基本セル列を敷き詰める、いわゆるSOGタイプのゲートアレイであってもよい。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の基本セル列を形成するとともに、該基本セル列間に配線チャネルを設け、該配線チャネルを1層目とし、かつ複数の配線層を持つ半導体集積回路において、前記配線チャネルに形成する配線をチャネルあたり1本とし、かつ該配線を電源配線として使用することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/118 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/82 M ,  H01L 21/82 L ,  H01L 21/88 A