特許
J-GLOBAL ID：200903006936642067
ガスセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-078533
公開番号（公開出願番号）：特開平9-269307
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、燃焼機器に搭載できる高信頼性のガスセンサでとくに、燃焼機器の負荷変動等に伴う温度を始めとした環境要因のバラツキに対して安定な出力特性をもち併せて化学センサの最大の課題である電極・触媒の劣化に関わる耐久信頼性を高めたガスセンサを提供することである。【解決手段】 一酸化炭素以外の変動要因キャンセルするための補償素子を設けて変動影響をキャンセルするため同一基板1上に2対の櫛形電極2を形成し、そのそれぞれの電極1上にN型半導体酸化物系焼結体膜3を形成し、さらに一方のN型半導体酸化物系焼結体膜3上に多孔性の一酸化炭素および水素酸化触媒膜4、他方のN型半導体酸化物系焼結体膜3上に、一酸化炭素の酸化能力はないが水素酸化能力をもつ多孔性水素選択酸化触媒膜5を形成することで極めて安定な出力特性を得ることができる。
請求項（抜粋）：
加熱手段を備えてなるガスセンサにおいて、同一基板上に2対の櫛形電極を形成し、そのそれぞれの電極上にN型半導体酸化物系焼結体膜を形成し、さらに一方のN型半導体酸化物系焼結体膜上に多孔性の一酸化炭素および水素酸化触媒膜、他方のN型半導体酸化物系焼結体膜上に、一酸化炭素の酸化能力はないが水素酸化能力をもつ多孔性水素選択酸化触媒膜を形成して成るガスセンサ。
FI (2件)：
G01N 27/12 B
, G01N 27/12 C
