特許
J-GLOBAL ID：200903006940814247
低抵抗Cu-Ag合金膜の形成方法及び低抵抗Cu-Ag合金膜形成用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086828
公開番号（公開出願番号）：特開平8-283945
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：
【要約】【構成】 有機Cu(I)化合物?@の蒸気と有機Ag(I)化合物?Aの蒸気とを分解させて基板上に低抵抗Cu-Ag合金を堆積させる。【化6】【効果】 有機Cu(I)化合物と有機Ag(I)化合物との組み合わせによる不均化反応を利用して低温反応で基板上に均一かつ緻密で高純度なCu-Ag合金を堆積させることができる。CuとAgとの合金化で、低抵抗でマイグレーション耐性及び機械的強度に優れた膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
有機Cu(I)化合物の蒸気と有機Ag(I)化合物の蒸気とを分解させることにより基板上に低抵抗Cu-Ag合金を堆積させることを特徴とする低抵抗Cu-Ag合金膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/18
, H01L 21/285 C
