特許
J-GLOBAL ID：200903006943054405

半導体ウェハ

発明者：
丸山 ユミ

丸山 ユミ について

, 
藤井 哲夫

藤井 哲夫 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 田下 明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-237632
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165839
出願日： 2006年09月01日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】半導体ウェハを分離して得られる半導体チップの品質低下を防止し得る半導体ウェハを実現する。【解決手段】 レーザ光L1,L2が照射される分割予定ラインDLの表面20aに位置する単結晶シリコン層23のうち、レーザ光L1,L2の集光点P1,P2の形成に障害を与え得る当該単結晶シリコン層23の一部を除去して形成されるスクライブ溝25において、スクライブ溝25の開口部25aと底部25bとをつなぐ壁部25cのうち、少なくとも、表面20aに接続されて開口部25aを形成する壁部25cの一部は、表面20aに対して鈍角(傾斜角θ1)をなすほぼ平面状に形成されている。これにより、壁部25cの一部と分割予定ラインDLの表面20aとがなす角部20cを鈍角にできるので、ウェハ20を分離して得られる半導体チップの角部も鈍角にでき、当該角部を欠けにくくする。したがって、半導体チップの品質低下を防止できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
レーザ光の照射によって内部に多光子吸収による改質領域が形成されることで、当該改質領域を起点とした割断を可能にする半導体ウェハで、前記レーザ光が照射される予定部位の表面に位置するウェハ形成層のうち、前記レーザ光の集光点の形成に障害を与え得る当該ウェハ形成層の一部を、除去して形成される凹部を備えた半導体ウェハであって、 前記凹部の開口部と前記凹部の底部とをつなぐ壁部のうち、少なくとも、前記表面に接続されて前記開口部を形成する壁部の一部は、前記表面に対して鈍角をなすほぼ平面状に形成されていることを特徴とする半導体ウェハ。
IPC (1件)：
H01L 21/301
FI (2件)：
H01L21/78 L ,  H01L21/78 B
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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