半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179660
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354793
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】インテリジェントパワーICを製造する際に、CMOS回路の特性を維持したまま、パワー半導体装置のチャネルを自己整合的に形成可能にし、自己整合コンタクトをその集積回路に使用可能にする。【解決手段】インテリジェントパワーICのLDMOS部分のゲート電極形成前に、LDMOSのチャネルを誘電体層を使用して、自己整合的に決定可能にすることにより、その後、インテリジェントパワーICにおけるCMOS部分の特性を変化させることなしに、CMOS部分およびLDMOS部分のゲート電極を同時に形成できる。また、LDMOS部分のゲート電極形成前に、CMOS部分のチャネルを決定し、その後に、LDMOS部分のゲート電極を形成できる。これにより、LDMOS部分に自己整合コンタクトを簡単に形成でき、短プロセス、低コスト、高集積化を可能にする。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって:半導体基板の主表面の第1領域(111)上にあり、第1膜厚を有する第1誘電体部分(121)と、第1領域に隣接する第2領域(112)の上にある、前記第1膜厚より厚い第2膜厚を有する第2誘電体部分(122)とを有する誘電体層、を形成する段階;前記第2誘電体部分(122)を通過せず、かつ前記第1誘電体部分(121)を通過するインプラントエネルギにて、前記第1領域(111)に、第1導電型不純物をインプラントする段階;前記第2誘電体部分(122)を通過せず、かつ前記第1誘電体部分(121)を通過するインプラントエネルギにて、前記第1領域(111)に、第2導電型不純物をインプラントする段階;および前記第1導電型不純物および第2導電型不純物を拡散し、拡散の程度の相違によりベース拡散層(131)およびソースまたはドレイン拡散層(141)を形成し、前記ベース拡散層(131)内に自己整合的にチャネルを決定する段階;から構成されることを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (5件)：

H01L 29/78 301 W , H01L 21/265 604 M , H01L 27/08 102 A , H01L 27/08 321 C , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-089865
特開昭60-136377

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