絶縁膜を有するシリコン基板の欠陥評価法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020569
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213439
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】絶縁膜を有するシリコン基板のピンホール欠陥を、迅速かつ簡便に、また正確に評価する。【構成】電気化学反応により絶縁膜2を有するシリコン基板1のピンホール欠陥3上に選択的に銅を析出させ、この析出を視覚的に観察してピンホール欠陥密度を求める。銅を析出させる際には、0.005mol/l乃至0.04mol/lの銅の強酸塩を含む水溶液を電解質溶液を含浸させた吸収性固体6、あるいは電解質溶液を含むゲルを陽極である銅板7と、陰極であるシリコン基板上の間に挟み込み、この吸収性固体あるいはゲルを、電気化学反応を媒介する電解質として活用すると共に、陽極と陰極を短絡させないためのセパレータおよび支持体としても活用する。このため、シリコン基板を電気化学セルなどにより電解質溶液と絶縁分離する工程が不要となり、評価を簡便かつ迅速に行うことができる。

請求項（抜粋）：

陽極と、絶縁膜を表面または内部に有するシリコン基板により構成された陰極とを、銅の強酸塩を含む電解質溶液を介して対向させ、さらに前記陽極と陰極の間に電圧を印加し、電気化学的作用により前記絶縁膜中のピンホール欠陥上部の陰極表面に銅を析出させてピンホール欠陥を検出する絶縁膜を有するシリコン基板の欠陥評価法において、前記陽極と陰極の間の電解質として、前記電解質溶液を含浸させた吸収水性固体、あるいは前記電解質溶液を含むゲルを用いてピンホールの欠陥を検出する絶縁膜を有するシリコン基板の欠陥評価法。

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