特許

J-GLOBAL ID：200903006950324779

炭化珪素半導体装置

発明者： 川上 春雄 ,  橋本 孝一 ,  浅井 隆一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115553
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316172
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】炭化珪素(SiC)半導体装置のn型SiCへのオーミック電極を形成する。【構成】Alとそれより仕事関数の低い金属Mとの合金(Al-M合金)からなるオーミック電極を形成する。Mとしては、Mg、Mnがよい。窒素を1×1018cm-3ドープしたSiC基板を用いたショットキーダイオードの裏面電極として形成したAl-30%Mg合金電極でオーミック接触が確認された。また、窒素を1×1018cm-3ドープしたn型エピタキシャル層の表面に、Al-30%Mg合金をスパッタした電極の接触抵抗として4×10-4Ωcm2 を得た。

請求項（抜粋）：

アルミニウムとアルミニウムより仕事関数の小さな金属Mとの合金(Al-M合金)からなるオーミック電極を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 21/28 301 L ,  H01L 29/48 M