特許
J-GLOBAL ID：200903006950421219
半導体レーザ、その製造方法及び半導体レーザアレイ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-127221
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338654
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】 光並列伝送等の半導体レーザアレイにも応用可能なp-InP基板上の半導体レーザにおいて、発振閾値電流の温度特性に優れ、85°C以上の高温に於いても低駆動電流動作が可能な半導体レーザ及びその製造方法の提供。【構成】 MOVPE法によって製作され、p形InP半導体基板10上にpn電流狭窄構造を有する半導体レーザである。その電流狭窄構造がp-InP埋込層17、n-InP電流ブロック層18、p-InP電流ブロック層19、InGaAsP電流ブロック層20、n-InP埋込層21,22から構成されている。
請求項（抜粋）：
p形InP半導体基板上に形成された埋込構造を有する半導体レーザにおいて、InGaAsPバルクまたは量子井戸構造でなる活性層をp-InPクラッド層とn-InPクラッド層とで挟んだ構造のメサストライプの両脇が、少なくともp-InP埋込層、n-InP電流ブロック層、p-InP電流ブロック層、InGaAsP電流ブロック層で埋め込まれ、更に前記メサストライプを含む全体がn-InP埋込層で埋め込まれている半導体レーザであって、前記p-InP埋込層と前記p-InP電流ブロック層とが前記メサストライプ側面で接触することで前記n-InP電流ブロック層が電気的に孤立していることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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