スチレン系高分子電解質及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大谷保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-207278
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055165
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】スチレン系樹脂のスルホン化体の長期使用時の劣化の原因となるジビニルベンゼンを用いることなく、長期に渡って構造を維持できる高い安定性を有し、且つ安価なスチレン系樹脂からなる高分子電解質及びそれからなる高分子電解質膜を提供する。【解決手段】主としてシンジオタクチック構造を有するポリスチレン(以下、SPSと略称する)と、該SPS不溶性溶媒に可溶な樹脂とを含む混合物から成形体を形成し、該成形体中の該樹脂を該SPS不溶性溶媒を用いて除去することにより該成形体中に細孔を形成した後、該成形体を構成しているSPSにイオン交換基を導入することを特徴とする高分子電解質の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

主としてシンジオタクチック構造を有するポリスチレンからなる多孔質成形体にイオン交換基を導入してなることを特徴とする高分子電解質。

IPC (11件)：

H01B1/06 , B01D71/28 , B01D71/82 , B01J47/12 , C08F2/44 , C08F8/00 , C08F12/04 , C08F291/00 , C08J9/26 , H01B13/00 , H01M8/02

FI (13件)：

H01B1/06 A , B01D71/28 , B01D71/82 500 , B01J47/12 C , B01J47/12 D , C08F2/44 C , C08F8/00 , C08F12/04 , C08F291/00 , C08J9/26 102 , C08J9/26 , H01B13/00 Z , H01M8/02 P

Fターム (75件)：

4D006GA41 , 4D006MA03 , 4D006MA13 , 4D006MA14 , 4D006MB07 , 4D006MC24X , 4D006MC73 , 4D006MC74X , 4D006MC78 , 4D006NA05 , 4D006PA02 , 4D006PA04 , 4D006PB03 , 4D006PB66 , 4D006PC80 , 4F074AA32 , 4F074AB01 , 4F074CB03 , 4F074CB17 , 4F074CB28 , 4F074CD17 , 4F074DA49 , 4J011PA63 , 4J011PA65 , 4J011PA83 , 4J011PB40 , 4J011PC02 , 4J011PC08 , 4J026AA17 , 4J026AA57 , 4J026AC36 , 4J026BA05 , 4J026BB01 , 4J026DB02 , 4J026DB09 , 4J026DB17 , 4J026EA03 , 4J026EA09 , 4J026GA06 , 4J100AB01P , 4J100AB02P , 4J100AB04P , 4J100AB07P , 4J100AB08P , 4J100AB09P , 4J100AB10P , 4J100BA29H , 4J100BA56H , 4J100BA64H , 4J100BA72P , 4J100BB01P , 4J100BB03P , 4J100BB05P , 4J100BC43P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA12 , 4J100CA31 , 4J100DA01 , 4J100DA39 , 4J100DA56 , 4J100FA10 , 4J100FA18 , 4J100FA19 , 4J100HA61 , 4J100HB52 , 4J100JA16 , 5G301CA30 , 5G301CD01 , 5H026AA06 , 5H026BB08 , 5H026BB10 , 5H026CX05 , 5H026HH00 , 5H026HH05

引用特許：

審査官引用 (3件)

微多孔膜を製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-289499 出願人：旭化成工業株式会社
特開平2-094261
特開平2-094261

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