TAB用半導体チップ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150173
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343408
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【構成】素子領域2が形成された半導体基板1表面に絶縁膜3を介して下層配線5を形成する。つぎに層間絶縁膜6を形成したのち上層配線7およびプローブ用パッド7aを形成する。つぎに表面保護膜8を形成したのちレジスト(図示せず)をマスクとして、めっき法によりバンプ9を形成する。【効果】上層配線からなるウェーハチェック専用のプローブ用パッドを形成した。その結果、素子形成領域を縮小することなく、ストレート配列のバンプピッチを従来よりも20〜30%縮小することができた。外周から2列目や、素子形成領域の上にプローブ用パッドを形成することができるので、半導体チップの面積を縮小することができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップ表面の外周に沿って下層配線に接続するボンディングパッドが形成され、前記半導体チップ表面の前記ボンディングパッドの内側に上層配線からなるウェーハチェック用のパッドが形成されたTAB用半導体チップ。

IPC (3件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311 , H01L 23/522

FI (2件)：

H01L 21/92 C , H01L 23/52 B

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