特許

J-GLOBAL ID：200903006973195720

研磨材、基板の研磨方法及び半導体装置

発明者： 町井 洋一 ,  吉田 誠人 ,  須佐 憲三
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-293525
公開番号（公開出願番号）：特開2001-115144
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：

【要約】【課題】 シリカ膜等の被研磨面を傷なく研磨できる研磨材を提供する。【解決手段】 中空微粒子又は内部に液相を含有する微粒子を媒体に分散させた研磨材、この研磨材を用いた基板の研磨方法及びこの研磨材を用いて研磨された基板を用いた半導体装置。

請求項（抜粋）：

中空微粒子を媒体に分散させた研磨材。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17