特許

J-GLOBAL ID：200903006973827026

コンタクト形成方法

発明者： 鴨志田 和良 ,  佐久間 一人 ,  佐藤 芳之 ,  町田 克之
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084799
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297146
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路の製造工程において、シリコン基板と配線金属とを接続するコンタクト形成方法に関し、コンタクト部に形成される重合膜を除去し、さらにp型シリコン基板と配線金属とのコンタクト抵抗の低減を図る。【構成】 反応性イオンエッチング法によりコンタクトホールを形成し、続いてマスクパターンとして用いた有機高分子膜を除去し、続いて第1の金属,第2の金属の窒化物,配線金属を順に堆積してコンタクトを形成するコンタクト形成方法において、第1の金属を堆積する前に、コンタクトホール底部のシリコン基板表面に電子サイクロトロン共鳴法による酸素プラズマ処理で酸化膜を形成し、続いてこの酸化膜を除去する工程を有し、第1の金属および第2の金属の窒化物を堆積した後に、シリコン基板を熱処理して第1の金属とシリコンとの合金を形成する工程を有する。

請求項（抜粋）：

フッ素,炭素および酸素を含むガスまたはフッ素,炭素,水素および酸素を含むガスを用いた反応性イオンエッチング法により、所定のマスクパターンを有する有機高分子膜をマスクとしてシリコン基板上に堆積した層間絶縁膜をシリコン基板までエッチングしてコンタクトホールを形成し、続いて有機高分子膜を酸素プラズマ処理により除去し、続いて第1の金属,第2の金属の窒化物,配線金属を順に堆積してコンタクトを形成するコンタクト形成方法において、前記第1の金属を堆積する前に、前記コンタクトホール底部のシリコン基板表面に電子サイクロトロン共鳴法による酸素プラズマ処理で酸化膜を形成し、続いてこの酸化膜を除去する工程を有し、前記第1の金属および前記第2の金属の窒化物を堆積した後に、シリコン基板を熱処理して前記第1の金属とシリコンとの合金を形成する工程を有することを特徴とするコンタクト形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065