特許
J-GLOBAL ID：200903006976877717
半導体薄膜及びその形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012527
公開番号（公開出願番号）：特開2000-211988
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：
【要約】【課題】 非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成し、熱や光、荷電粒子等のエネルギーを加えて大きな結晶粒または単結晶領域を得る。【解決手段】 非単結晶絶縁膜または非単結晶絶縁基板1の表面の一部に規則的な凹凸を形成し、その上に非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜2を形成して、核形成領域(凹凸形成側)と大きな結晶を形成したい領域との間の一部を除去してくびれ部4を形成する。このくびれ部を通過して成長した結晶成長しやすい結晶核のみを種結晶として結晶成長させることにより、不規則に発生する結晶粒相互がぶつかり合ってお互いの結晶成長を阻害し合うのを防ぐ。さらに、熱や光、荷電粒子等のエネルギーを非単結晶半導体薄膜2の一部に加えて面内に温度の局在状態を形成し、加熱部を面内で移動させて結晶核の発生領域と結晶成長方向とを制御する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に設けられた半導体薄膜であって、表面の一部に規則的な凹凸を設けた非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、くびれ部を有する非単結晶半導体薄膜を、該くびれ部を挟んで一方側を該凹凸上に配して形成し、該非単結晶薄膜にエネルギーを加えることにより、該一方側で発生した結晶核のうち、該くびれ部を通過して成長した結晶を種結晶として結晶成長させた半導体薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4G077AA03
, 4G077BA04
, 4G077CA06
, 4G077JA05
, 4G077JB09
, 5F052AA01
, 5F052AA14
, 5F052BA07
, 5F052CA04
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DB02
, 5F052EA02
, 5F052FA03
, 5F052FA13
