特許

J-GLOBAL ID：200903006984761680

熱電冷却物質として使用するのに特に適した超格子構造

発明者： ハーマン,スィーアドー、シー
出願人/特許権者： マサチューシッツ、インスティテュート、アヴ、テクナラジ
代理人 (1件)： 真田 雄造 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-515950
公開番号（公開出願番号）：特表平8-505736
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：

【要約】(PbTeSe)<SB>m</SB>の層と(BiSb)<SB>n</SB>の層(mおよびnは、それぞれ、超格子周期あたりのPbTeSe単層およびBiSb単層の数である)とを交互に配したものからなる、改良された熱電冷却物質(および他の用途)のために設計された電子構造を有する超格子を、分子線エピタキシー成長によって成長させることができる。好ましくは、短周期の場合、n+m<50である。しかし、10,000以上のそのような小さな周期を有する超格子膜を成長させることもできる。例えば、超格子は、(PbTe<SB>1-z</SB>Se)<SB>m</SB>の層と、(Bi<SB>x</SB>Sb<SB>1-x</SB>)<SB>n</SB>の層とを交互に配したものからなることができる。好ましい実施態様によると、超格子は、PbTe<SB>0.8</SB>Se<SB>0.2</SB>の層m枚およびBi<SB>0.9</SB>Sb<SB>0.1</SB>の層n枚(mおよびnは2〜20であることが好ましい)からなる複数の層からなる。

請求項（抜粋）：

NzO1-zからなる第一の物質およびBiからなる第二の物質の複数の層からなり、 ただし、Nは、Te、SeおよびSからなる群より選択される6.族非金属であり、Oは、Te、SeおよびSからなる群より選択される6.族非金属であり、0≦z≦1である超格子。

IPC (2件)：

H01L 35/16 ,  H01L 35/32