特許

J-GLOBAL ID：200903006986538040

半導体装置の製造方法

発明者： ホン・ヒ・イ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066673
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008366
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィ工程を必要とせず、かつ超微細半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 内側柱状体のA高分子物質、その外側を囲むように柱状に形成される外側柱状体のB高分子物質、B高分子物質をを囲むように形成されるC高分子物質を備えたABC共重合体を半導体基板に形成し、A高分子物質を除去して、その除去された空間に半導体装置のボディを形成し、その後、B高分子物質層を選択的に除去し、その除去した空間にボディの電位を制御する電極を形成してC高分子物質層を除去する。

請求項（抜粋）：

内側柱状体のA高分子物質、その外側を囲むように柱状に形成される外側柱状体のB高分子物質、B高分子物質をを囲むように形成されるC高分子物質を備えたABC共重合体を半導体基板に形成する段階と、前記A高分子物質層を選択的に除去する段階と、前記A高分子物質の除去された空間に半導体装置のボディを形成する段階と、前記B高分子物質層を選択的に除去し、その除去した空間にボディの電位を制御する電極を形成する段階と、前記C高分子物質層を除去する段階と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/10 621 A ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 P