特許
J-GLOBAL ID：200903006988123661
GaN系半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-032355
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229051
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 n型およびp型のGaN系半導体層にオーミック接触状態で装荷される電極とその形成方法を提供する。【解決手段】 n型電極の場合は、W,Cr,Ti,Moの群から選ばれる少なくとも1種を含み、n型GaN系半導体層2の表層部に形成されたSnとInとの共存領域B1またはSiとInとの共存領域B1を介してn型GaN系半導体層2に装荷されており、p型電極の場合は、W,Tiの群から選ばれる少なくとも1種を含み、p型GaN系半導体層の表層部に形成されたZnとInとの共存領域またはMgとInとの共存領域を介してp型GaN系半導体層に装荷されている。
請求項（抜粋）：
W,Cr,Ti,Moの群から選ばれる少なくとも1種を含むn型電極が、n型GaN系半導体層の表層部に形成されたSnとInとの共存領域またはSiとInとの共存領域を介して前記n型GaN系半導体層に装荷されていることを特徴とするGaN系半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 33/00
H01L 21/28 301 H
, H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
