特許

J-GLOBAL ID：200903006988361295

磁界を感知する磁気抵抗センサ

発明者： 清水 豊 ,  田中 厚志 ,  小林 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-085378
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283816
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果型センサの再生出力を大きくし、またサーマルアスピリティを除くこと。【解決手段】 1対のスピン・バルブ構造を絶縁層で分離した積層構造とし、好ましくは差分情報を検出する。

請求項（抜粋）：

非磁性スペーサ層を介して互いに分離された、第1及び第2の強磁性体薄膜を備え、印加磁場ゼロのとき、前記第1の強磁性体層の磁化方向と前記第2の強磁性体層に隣接する第1の反強磁性体の薄膜層(交換バイアス層)により固定された前記第2の強磁性体層の磁化方向が直交する方向であり、外部磁場により、前記強磁性体の各々の層の磁化の回転の差によって生じる電気抵抗変化を検知する手段を有する、第1のスピン・バルブ(Spin Valve)構造と、非磁性スペーサ層を介して互いに分離された、第3及び第4の強磁性体薄膜を備え、印加磁場ゼロのとき、前記第3の強磁性体層の磁化方向と前記第4の強磁性体層に隣接する第2の反強磁性体の薄膜層(交換バイアス層)により固定された前記第4の強磁性体層の磁化方向が直交する方向であり、外部磁場により、前記強磁性体の各々の層の磁化の回転の差によって生じる電気抵抗変化を検知する手段を有する、第2のスピン・バルブ(Spin Valve)構造と、前記第1及び第2のスピン・バルブ構造の間を電気的に絶縁する絶縁層と、各々のスピン・バルブ構造からの出力を検出する手段とを有することを特徴とする磁気抵抗センサ。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R