特許
J-GLOBAL ID:200903006988750496
全固体型リチウム二次電池製造方法および全固体型リチウム二次電池
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
酒井 宏明
, 中辻 史郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-126091
公開番号(公開出願番号):特開2008-282687
出願日: 2007年05月10日
公開日(公表日): 2008年11月20日
要約:
【課題】不良品の発生率が低い全固体型リチウム二次電池を製造すること。【解決手段】基板1上に少なくとも1個の凹状の窪みを作製し、作製された基板1上の窪み内に集電極を成膜し、成膜された集電極と接触するように当該窪み内に正極膜3または負極膜5としての電極膜を積層する際に、当該電極膜が固体電解質膜4に接触する面と、当該窪みの周縁部である基板1の表面との境界で生じる段差の高さが、固体電解質膜4の膜厚の20%以下となるように前記電極膜を成膜する。例えば、正極集電極2と接触するように基板1上に作製した窪み内に正極膜3を積層する際に、正極膜3が固体電解質膜4に接触する面と、当該窪みの周縁部である基板1の表面との境界で生じる段差の高さが、固体電解質膜4の膜厚の20%以下となるように前記電極膜を成膜する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
リチウムイオン導電性の固体からなる固体電解質膜が、リチウムイオンの挿入および脱離が可能な固体からなる正極膜と、リチウム金属もしくはリチウムイオンの吸蔵および放出が可能な固体からなる負極膜とによって挟まれて積層される構成からなる全固体型リチウム二次電池を基板上に製造する全固体型リチウム二次電池製造方法であって、
前記基板上に少なくとも1個の凹状の窪みを作製する窪み作製工程と、
前記窪み作製工程によって作製された前記窪み内に集電極を成膜する集電極成膜工程と、
前記集電極成膜工程によって成膜される前記集電極と接触するように前記窪み内に前記正極膜または前記負極膜としての電極膜を積層する際に、当該電極膜が前記固体電解質膜に接触する面と、当該窪みの周縁部である基板表面との境界で生じる段差の高さが、前記固体電解質膜の膜厚の20%以下となるように前記電極膜を成膜する電極膜成膜工程と、
を含んだことを特徴とする全固体型リチウム二次電池製造方法。
IPC (6件):
H01M 10/36
, H01M 4/48
, H01M 4/50
, H01M 4/52
, H01M 4/04
, H01M 2/02
FI (7件):
H01M10/00 117
, H01M10/00 107
, H01M4/48 102
, H01M4/50 102
, H01M4/52 102
, H01M4/02 109
, H01M2/02 K
Fターム (30件):
5H011AA09
, 5H011CC02
, 5H011CC05
, 5H011DD21
, 5H029AJ14
, 5H029AK03
, 5H029AL12
, 5H029AM12
, 5H029AM14
, 5H029BJ04
, 5H029BJ13
, 5H029CJ24
, 5H029DJ02
, 5H029DJ14
, 5H029EJ12
, 5H029HJ04
, 5H029HJ12
, 5H050AA19
, 5H050BA16
, 5H050CA07
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CB12
, 5H050FA10
, 5H050FA15
, 5H050FA18
, 5H050GA04
, 5H050GA24
, 5H050HA04
, 5H050HA12
引用特許: