化合物半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上代哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031626
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244218
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】変調ドープ構造の電界効果型トランジスタにおいて、キャリア供給層よりもバンドギャップが大きい化合物半導体層よりなるエネルギ供給層を挿入して、リーク電流を減少させる。【構成】キャリア供給層としてInAlAs層151、152を用いた変調ドープ構造の電界効果型トランジスタにおいて、キャリア供給層151、152の間にAlAsエネルギ障壁層を挿入した化合物半導体装置。

請求項（抜粋）：

変調ドープ構造の電界効果型トランジスタにおいて、キャリア供給層又はバッファ層の中もしくはこれらの層に隣接して、キャリア供給層又はバッファ層よりもバンドギャップが大きい化合物半導体層を挿入したことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-184940
特開平4-062852
特開平1-256176

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