特許
J-GLOBAL ID:200903007004158431

電界効果トランジスタの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-013137
公開番号(公開出願番号):特開平8-203928
出願日: 1995年01月30日
公開日(公表日): 1996年08月09日
要約:
【要約】【目的】櫛形電極構造を有する電界効果トラジスタの電極形成を3層から2層に減らして工程を簡略化する。【構成】第1層目のソース電極7,ドレイン電極8を形成する際に同一工程でゲートバスバー9を形成し、第2層目のゲート電極13を形成するときにゲートバスバー9にゲート電極13を接続し、同時にソース電極7,ドレイン電極8のそれぞれと接続するソース電極配線14,ドレイン電極配線16を形成する。
請求項(抜粋):
半絶縁性半導体基板の表面に選択的に不純物を導入して形成した帯状の能動層を含む前記半絶縁性半導体基板の上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上に塗布してパターニングしたフォトレジスト膜をマスクとして前記第1の絶縁膜をエッチング除去し第1の開口部を形成する工程と、前記第1の開口部を含む前記フォトレジスト膜の上に第1の金属膜を堆積した後リフトオフして前記能動層とオーミックコンタクトを形成する複数のソース電極およびドレイン電極を前記能動層上に交互に配置して形成すると同時に前記能動層の一方の側に沿って前記半絶縁性半導体基板上に配置したゲートバスバーを形成する工程と、前記ソースおよびドレイン電極および前記ゲートバスバーを含む前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2および第1の絶縁膜を選択的に順次エッチング除去して第2の開口部を形成する工程と、前記第2の開口部を含む前記第2の絶縁膜の上に第2の金属膜を堆積してパターニングし前記第2の開口部に露出した前記能動層とショットキー接合を形成し且つ前記ゲートバスバーに接続する複数のゲート電極を形成すると同時に前記第2の開口部に露出した前記ソース電極を互に連結するソース電極配線および前記第2の開口部に露出した前記ドレイン電極を互に連結するドレイン電極配線を形成する工程とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41
FI (3件):
H01L 29/80 L ,  H01L 29/44 F ,  H01L 29/80 F

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