特許

J-GLOBAL ID：200903007007046367

GaAs層の形成方法

発明者： 柿沼 弘明 ,  上田 孝
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177559
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012467
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 より簡便にSi基板上へ高品質のGaAs層を得ること。【解決手段】 Si基板11上に、転位を消滅させる、あるいは転位の進行方向を変換させるようなGaの空孔を含むGaAs中間層19を形成する工程と、このGaAs中間層の表面にGaAs層21を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

Si基板の上側に、気相成長法を用いてGaAs層を形成するにあたり、前記Si基板上側に、転位を消滅させる、あるいは転位の進行方向を変換させるようなGaの空孔を含むGaAs中間層を形成する工程と、該GaAs中間層の表面に、前記GaAs層を形成する工程とを含むことを特徴とするGaAs層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20

Fターム (25件)：

5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD08 ,  5F045AD11 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045HA16 ,  5F052AA11 ,  5F052DA05 ,  5F052DB01 ,  5F052DB06 ,  5F052EA11 ,  5F052GC03 ,  5F052JA09 ,  5F052KA01