特許

J-GLOBAL ID：200903007009002421

半導体結晶成長方法

発明者： 前田 毅
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134858
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330229
出願日： 1995年06月01日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体結晶成長方法に関し、GaAs基板上にAlAs層及びGe層を積層する場合、AlAs上に在るGaがGe中に偏析することを抑止し、良好なヘテロ接合が得られるようにする。【構成】 Gaを含む基板上に形成されたAlAs上にGeをエピタキシャル成長させる際、基板温度をAlAs上のGaが蒸発し且つAlAsが蒸発しない温度まで上昇させ、その後、AlAs表面の五族/三族比が(3×2)構造に於ける前記比と(2×4)構造に於ける前記比との間に在るようにしてからGeをエピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

Gaを含む基板上に形成されたAlAs上にGeをエピタキシャル成長させる方法に於いて、AlAsの成長後にAsを照射しつつ基板温度をGaが蒸発し且つAlAsが蒸発しない温度まで上昇させる工程と、その後、前記基板温度を低下させつつAsを照射してAlAs表面の五族/三族比が(3×2)構造に於ける前記比と(2×4)構造に於ける前記比との間に在るようにしてからGeをエピタキシャル成長させる工程とが含まれてなることを特徴とする半導体結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/205

FI (4件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/205