特許

J-GLOBAL ID：200903007012838212

半導体基板の洗浄方法

発明者： 木村 博一
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-349014
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201793
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の異方性ドライエッチング時に形成される化合物を、アルミ配線への影響を与えず完全に除去できるようにした半導体基板の洗浄方法を提供する。【構成】 ドライエッチングによるスルーホール形成時に、スルーホール側壁に堆積する化合物を残存した半導体基板24を、基板支持治具23に支持させて、洗浄槽21内に注入され所定温度に制御された硝酸液22中に浸漬する。これにより残存化合物は、溶解又は硝酸液中に剥離し完全に除去される。この際、下層アルミ配線は、硝酸のアルミ表面酸化作用によって、腐食や侵食の発生は阻止される。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜を有する半導体基板の異方性ドライエッチング時に堆積形成される化合物を該半導体基板に薬液を接触させて取り除く洗浄方法において、前記薬液として硝酸液を用いる事を特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/08 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/306 F ,  H01L 21/306 B