特許

J-GLOBAL ID：200903007014121064

窒化物半導体素子

発明者： 阿部 雅俊 ,  森岡 靖
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071710
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269548
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【目的】n型窒化物半導体層から発光層への不純物の拡散を防ぎ、かつ高い発光効率を維持した発光素子を提供する。【構成】基板上に、n型窒化物半導体層、活性層およびp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記n型窒化物半導体層を、基板側から順に、アンドープの窒化物半導体層からなる第1のn型窒化物半導体層、n型不純物としてSiがドープされた窒化物半導体層からなる第2のn型窒化物半導体層、IV族のSiより原子番号の大きい元素からなるn型不純物がドープされた第3のn型窒化物半導体層の少なくとも3層とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、n型窒化物半導体層、活性層およびp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記n型窒化物半導体層が、基板側から順に、アンドープの窒化物半導体層からなる第1のn型窒化物半導体層、n型不純物としてSiがドープされた窒化物半導体層からなる第2のn型窒化物半導体層、Siとは異なるn型不純物がドープされた窒化物半導体層からなる第3のn型窒化物半導体層の少なくとも3層が積層された構造を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05