特許
J-GLOBAL ID：200903007027320988
ゲッタリング方法およびそれを用いた半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-040041
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249634
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 SOI構造を有する半導体集積回路装置に適用することのできるゲッタリング技術を提供する。【構成】 シリコンウエハ1上に接着層2を介して接合されたシリコン活性層3の一部に溝5を設け、この溝5の内壁にゲッタリング作用を有する薄膜、例えば多結晶シリコン膜6を形成してシリコン活性層3内の重金属不純物を固着するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハと、前記半導体ウエハ上に接着層を介して接合された半導体活性層とで構成されたSOI基板の前記半導体活性層に溝を設け、前記溝の内壁にゲッタリングサイトを構成する薄膜を設けることを特徴とするゲッタリング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 21/762
, H01L 27/12
