特許
J-GLOBAL ID：200903007030549783
半導体結晶膜および該結晶膜の製造方法ならびに該結晶膜の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-131381
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293680
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 太陽電池に好適な多結晶シリコン膜を効率よく、低コストで製造する。【解決手段】 基板10上に形成されたアモルファス状半導体薄膜11をアニールにより結晶化させて薄膜11aとし、引き続き、この上層にアモルファス状半導体薄膜11を新たに形成するとともに、該上層の半導体薄膜11をアニールにより結晶化させる工程を1回以上繰り返して薄膜を積層する。【効果】 比較的膜厚の厚い半導体結晶膜を効率よく、また良質に製造することができ、大面積化も容易であるため太陽電池を安価に製造できる。
請求項（抜粋）：
基板上に同一材料の薄膜が積層された半導体結晶膜であって、該結晶膜は各層で横方向に成長しているとともに、各層間に亘って縦方向に成長した多結晶であることを特徴とする半導体結晶膜
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 31/04
H01L 21/20
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
, H01L 31/04 M
