特許
J-GLOBAL ID：200903007030803574
半導電性シリコーンゴム組成物
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-281194
公開番号（公開出願番号）：特開平8-120176
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月14日
要約：
【要約】【目的】 体積抵抗率が102〜1010Ω・cmであり、その値のばらつきが極めて少ない半導電性のシリコーンゴムを形成するための半導電性シリコーンゴム組成物を提供する。【構成】 (A)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有するジオルガノポリシロキサン100重量部、(B)カーボンブラック2〜30重量部、(C)表面に酸化錫層および/または酸化アンチモン層を有するチタン酸カリウムウィスカー等の金属化合物系導電性ウィスカー2〜20重量部、および、本組成物を硬化させるに十分な量の(D)硬化剤からなる半導電性シリコーンゴム組成物。
請求項（抜粋）：
(A)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有するジオルガノポリシロキサン 100重量部、(B)カーボンブラック 2〜30重量部、(C)金属化合物系導電性ウィスカー 2〜20重量部および(D)硬化剤(本組成物を硬化させるに十分な量)からなる半導電性シリコーンゴム組成物。
IPC (7件)：
C08L 83/04 LRP
, C08L 83/04 LRX
, C08K 3/04
, C08K 5/14 LRT
, C08K 7/04
, H01B 1/00
, H01B 1/20
