特許

J-GLOBAL ID：200903007038976818

量子素子およびその製造方法

発明者： 岡田 健治 ,  照井 康明 ,  安井 十郎 ,  平井 義彦 ,  丹羽 正昭 ,  和田 敦夫 ,  森本 廉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270824
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110063
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 高密度に設置された量子素子の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板上に、シリコン結晶の異方性エッチングを利用して作製された稜線部および谷部を有し、稜線部および谷部それぞれに量子素子が形成されている。【効果】 異方性エッチングにより形成された稜線構造において高密度に量子素子を設置可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、シリコン結晶の異方性エッチングを利用して作製された稜線部および谷部を有し、稜線部および谷部それぞれに量子素子の形成されることを特徴とする量子素子。

IPC (2件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06