特許

J-GLOBAL ID：200903007041806443

半導体装置の製造方法

発明者： 坪野谷 誠
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089253
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286372
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 セラミック基板を採用したチップサイズパッケージに於いて、高価なセラミック基板を省略する。【解決手段】 フレーム10に半導体チップ15を実装し、ワイヤーボンディングした後、封止する。封止の際は、接続片13、14の裏面が樹脂封止体の裏面に露出するように構成し、最終的には連結体をダイシングして取り除く。

請求項（抜粋）：

半導体チップの配置予定領域を囲んだ連結体と、前記連結体と一体で、前記連結体からアイランドに向かい及び/または前記連結体から外側に向かって形成された接続片とを有するフレームを用意し、前記フレームの前記配置予定領域に前記半導体チップを固着し、前記接続片と前記半導体チップとを金属細線で接続し、前記接続片が露出するように樹脂封止し、前記連結体を取り除き、前記接続片を個々に分離する事を特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (8件)：

5F067AA01 ,  5F067AA10 ,  5F067AB04 ,  5F067AB07 ,  5F067BA03 ,  5F067BB02 ,  5F067DF02 ,  5F067DF07