特許
J-GLOBAL ID：200903007045102076
磁気検出素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206544
公開番号（公開出願番号）：特開2004-054962
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】エクスチェンジバイアス方式において、狭トラック化においても再生感度の向上を図ることができるとともに、サイドリーディングの発生を抑制できる磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】フリー磁性層28の素子両側端部Cの後方領域にバックフィルギャップ層35の端部35aを設け、前記第2反強磁性層33を記録媒体との対向面側から前記バックフィルギャップ層35の端部35a上にかけて形成する。これによりフリー磁性層28の後方領域では、磁性層内部でのバイアス磁界が前方領域に比べて弱まり、前記フリー磁性層の素子中央部での外部磁界に対する再生感度を、交換スティフネス定数を低減させることなく、従来に比べて向上させることが可能になるとともに、サイドリーディングの発生を抑制可能な磁気検出素子を製造することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下から第1反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層を有する多層膜が設けられ、
前記フリー磁性層のトラック幅方向における素子両側端部上には第2反強磁性層が設けられ、前記第2反強磁性層の交換結合磁界が生じる領域のハイト側後端面が、少なくとも前記フリー磁性層のトラック幅方向における素子中央部のハイト側後端面よりも記録媒体との対向面側に位置していることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (4件)：
G11B5/39
, H01F10/32
, H01L43/08
, H01L43/12
G11B5/39
, H01F10/32
, H01L43/08 Z
, H01L43/12
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA11
, 5D034CA04
, 5D034CA05
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049CB02
