特許
J-GLOBAL ID：200903007050206181
バイアス回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-349120
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186801
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 簡単な構成で、バイアス回路における信号の漏洩を防止し、EMIを有効に回避することが可能なバイアス回路を提供する。【解決手段】 マイクロ波集積回路、マイクロ波モノリシック回路、及びハイブリッド集積回路においてトランジスタ、ダイオード等の能動素子を駆動させるための電力を供給するバイアス回路において、主にRF信号が伝送する信号線路10にバイアス供給端子13から供給される電圧を介するバイアス線路11を、基板1上に直接載置せずに、空気、若しくはテフロン等の低誘電率体を介して基板1上に支持することにより、線路インピーダンスを向上させ、信号の漏洩を防止する。
請求項（抜粋）：
直下に、空気、若しくは低誘電率体が形成されているバイアス線路を有することを特徴とするバイアス回路。
IPC (3件)：
H01P 1/00
, H01P 3/08
, H03F 3/60
H01P 1/00 Z
, H01P 3/08
, H03F 3/60
