特許
J-GLOBAL ID:200903007050878228

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-044852
公開番号(公開出願番号):特開平5-243594
出願日: 1992年03月02日
公開日(公表日): 1993年09月21日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 変換効率の高い、高性能の太陽電池を提供する。【構成】 n型半導体基板の受光面側とは逆の表面上には、裏面電極が形成されている。また、n型半導体基板の受光面側の表面上には、n型半導体基板エピタキシャル層が形成されている。このn型半導体エピタキシャル層の表面上にはp型半導体エピタキシャル層が形成されている。このp型半導体エピタキシャル層の表面上には、電極1が形成されている。また、p型半導体エピタキシャル層の表面上は反射防止膜によって被覆されている。この受光面側に形成された電極1は、ハチの巣状をなしている。ハチの巣状の電極は、第1の電極部1bとこの第1の電極部に対して鋭角又は鈍角をなす第2の電極部1cとからなっている。
請求項(抜粋):
pn接合を介在させた1対の電極層を有する太陽電池において、前記1対の電極層の少なくとも一方が、その主表面に沿って第1の方向に延びる第1の枝部分と、前記第1の枝部分に接続され、かつ前記第1の方向と鋭角をなす第2の方向に延びる第2の枝部分とを含むことを特徴とする、太陽電池。
FI (2件):
H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 Y

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