特許
J-GLOBAL ID：200903007063787337
光集積形半導体レーザ
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106497
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293927
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 光通信及び光計測における光源として高速・低電圧駆動・低チャープ特性を持つ変調器を集積した集積形半導体レーザを提供する。【解決手段】 光集積形半導体レーザは、半導体レーザ12と、その半導体レーザ12の出射光を位相変化を利用して強度変調する前記半導体レーザと同一の基板上に形成された光強度変調器14a,14bと、これら2素子を同一の光共振器内に構成し、前記半導体レーザ12を直流駆動し、前記強度変調器14a,14bを大振幅動作させて変調光を発生する素子において、前記半導体レーザ12の出射光の偏光方向を光の電界ベクトルの方向が層に直交となるTM偏光とするものである。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、その半導体レーザの出射光を位相変化を利用して強度変調する前記半導体レーザと同一の基板上に形成された光強度変調器と、これら2素子を同一の光共振器内に構成し、前記半導体レーザを直流駆動し、前記強度変調器を大振幅動作させて変調光を発生する素子において、前記半導体レーザの出射光の偏光方向が、光の電界ベクトルの方向が層に直交するTM偏光であることを特徴とする光集積形半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
