特許

J-GLOBAL ID：200903007063803863

半導体集積回路

発明者： 沼口 喜伴
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222942
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079150
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】電源電圧よりも低い電圧レベルの“1”レベルが与えられても、無駄な消費電流が発生することのないレベル変換回路を有する半導体集積回路を提供する。【構成】本発明の半導体集積回路は、信号入力側より順番に縦続接続されるインバータ6および7と、ゲートにインバータ7の出力信号が供給されるPチャネルMOSFET1とゲートに中間電圧端子22より中間電位が供給されるNチャネルMOSFET2により形成され、入力端に所定の入力端子21が接続されて、出力端がインバータ6の入力端に接続されるトランスファゲートと、一端が所定の電源(VDD)に接続され、他端が前記トランスファゲートの出力端に接続されて、インバータ6の出力信号をイネーブル信号として形成されるプルアップ回路8とを含むレベル変換回路を備えることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

信号入力側より順番に縦続接続される第1および第2の反転増幅器と、ゲートに前記第2の反転増幅器の出力信号が供給されるPチャネルMOSFETと、ゲートに所定の中間電位が供給されるNチャネルMOSFETにより形成され、入力端に所定の入力信号が入力されて、出力端が前記第1の反転増幅器の入力端に接続されるトランスファゲートと、一端が所定の電源に接続され、他端が前記トランスファゲートの出力端に接続されて、前記第1の反転増幅器の出力信号をイネーブル信号として形成されるプルアップ回路と、を含むレベル変換回路を備えることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H03K 19/0175 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/687

FI (2件)：

H03K 19/00 101 K ,  H03K 17/687 G