特許
J-GLOBAL ID：200903007064115766
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-299245
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136145
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 エリアバンプを有する半導体装置の製造方法に関し、簡単な構成で半田バンプを作成することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 エリアバンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体チップ表面のエリアバンプを形成すべき箇所に半田合金を析出させるためのバリアメタル層を形成する工程と、前記バリアメタル層を形成した半導体チップ表面に、有機酸鉛と錫粉末を有機溶媒と混合してペースト状にしたペースト層を形成する工程と、前記半導体チップを熱処理して、前記バリアメタル層上に半田合金体を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
エリアバンプを有する半導体装置の製造方法において、半導体チップ(1)表面のエリアバンプを形成すべき箇所に半田合金を析出させるためのバリアメタル層(4)を形成する工程と、前記バリアメタル層を形成した半導体チップ表面に、有機酸鉛と錫粉末を有機溶媒と混合してペースト状にしたペースト層(5)を形成する工程と、前記半導体チップを熱処理して、前記バリアメタル層上に半田合金体(6)を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 D
, H01L 21/92 F
