特許

J-GLOBAL ID：200903007065636522

半導体マイクロバルブ

発明者： 豊田 憲治
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-327248
公開番号（公開出願番号）：特開2003-227574
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】ボス部のシ-ル部に対する傾きに起因するシ-ル特性の低下を解消し、充分なシ-ル特性を確保できるバイメタル式半導体マイクロバルブを提供する。【解決手段】シール部4とボス部6とが正対する凹凸曲面部を形成して相互に近接する構造となっているため、バイメタル部5の変位特性の個体差等により、左右対称の位置に存在するバイメタル部5a及び5bの変位に差異が生じ、ボス部6がシ-ル部4に対して傾きを生じても、ギャップ7が角のない凹凸曲面部を介して相互に近接するシ-ル部4及びボス部6によって形成されるので、シ-ル部4に対してボス部6の角が傾斜したまま接触する等の不具合は発生せず、充分なシ-ル特性を確保することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも所定の位置に貫通孔を有する第一の基板と、少なくとも前記貫通孔に対応する位置にボス部を有する弁体を形成する第二の基板とを備え、少なくとも一個のバイメタル部と前記貫通孔の近傍に前記ボス部に近接するシール部とを有するバイメタル式半導体マイクロバルブにおいて、前記ボス部と前記シール部が相互に正対する凹凸曲面部を形成することを特徴とするバイメタル式半導体マイクロバルブ。

IPC (3件)：

F16K 31/02 ,  B81B 3/00 ,  F16K 31/70

FI (3件)：

F16K 31/02 Z ,  B81B 3/00 ,  F16K 31/70 A

Fターム (17件)：

3H057AA02 ,  3H057BB04 ,  3H057BB06 ,  3H057CC04 ,  3H057DD12 ,  3H057EE10 ,  3H057FA02 ,  3H057HH07 ,  3H057HH11 ,  3H062AA02 ,  3H062AA12 ,  3H062BB28 ,  3H062CC29 ,  3H062EE06 ,  3H062FF21 ,  3H062HH06 ,  3H062HH10