特許

J-GLOBAL ID：200903007066638200

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤澤 薫 ,  宇家 真司 ,  千葉 嘉一郎 ,  斉藤 牧
出願人/特許権者： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  栗宇 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-181900
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031438
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】微細化が容易で、寸法精度の高い固体撮像素子を含む半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板表面に、フィールド酸化膜11で囲まれた領域に固体撮像素子を形成してなる半導体装置において、フィールド酸化膜11を、ゲート酸化膜12上に形成したことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に、フィールド酸化膜で囲まれた領域に半導体素子を形成してなる半導体装置において、 前記半導体素子のゲート酸化膜が前記半導体基板表面のほぼ全体に形成されており、 前記フィールド酸化膜は、ゲート酸化膜上に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L27/148

FI (1件)：

H01L27/14 B

Fターム (6件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118DA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26