シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001001460
公開番号（公開出願番号）：WO2001-063027
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2001年08月30日
要約：

【要約】MCZ法によりシリコン単結晶(8)を製造する方法において、シリコン単結晶の育成中に育成炉(1)内に流す不活性ガスの流量及び育成炉(1)内の圧力のいずれか一方又は両方をシリコン単結晶(8)の引き上げ量に応じて変化させ、単結晶中の格子間酸素濃度を調整する。育成炉(1)内の不活性ガス流量あるいは圧力を変化させることによって、結晶育成界面近傍の融液表面から酸化物として蒸発する酸素の量を容易に調整することが可能となり、シリコン融液(10)中に含まれる酸素量を容易に制御することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶の育成炉内においてルツボに収容したシリコン融液からCZ法によりシリコン単結晶を製造する方法において、磁場を印加しながら単結晶の引き上げを行うMCZ法(磁界下引上げ法)を採用するとともに、シリコン単結晶の育成中に育成炉内に流す不活性ガスの流量及び育成炉内の圧力のいずれか一方又は両方をシリコン単結晶の引き上げ量に応じて変化させ、単結晶中の格子間酸素濃度を調整することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 15/20 , C30B 29/06 502 , C30B 29/06

FI (4件)：

C30B 15/20 , C30B 29/06 502 G , C30B 29/06 502 H , C30B 29/06 502 K

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