特許

J-GLOBAL ID：200903007068889022

非晶質半導体の製造方法及び非晶質半導体

発明者： 津毛 定司 ,  佐々木 学
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005890
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211650
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 形成時の温度を300°C以下に低めることができ、かつ水素原子含有量が10原子%以下である非晶質シリコン半導体の製造方法を提供する。【構成】 基板上にプラズマCVD法により非晶質シリコン半導体膜を形成するにあたり、原料ガスを気相中において200°C〜500°Cの範囲の温度で加熱し、かつ基板温度を260°C以下とする、非晶質半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上にプラズマCVD法により非晶質シリコン半導体膜を形成するにあたり、原料ガスを気相中において200°C〜500°Cの範囲の温度で加熱し、かつ前記基板温度を260°C以下として前記非晶質シリコン半導体膜を形成することを特徴とする、非晶質半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-266015