特許
J-GLOBAL ID：200903007072562399
電力用半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056609
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246549
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 安全動作領域(SOA)を向上させた電力用半導体素子を提供すること。【解決手段】 電流を流すための素子領域1を取り囲むように,順方向阻止状態時に耐圧を持たせるためのリサーフ領域2が形成されている。素子領域1は,中心部が高キャリア濃度部分3a,リサーフ領域2に接する外周部が低キャリア濃度部分3bとなっている。低キャリア濃度部分3bが形成されていることにより,オン状態から順方向阻止状態素子に至るまでの間での,素子領域1からリサーフ領域2へのキャリアの拡散が抑制され,SOAが向上する。
請求項（抜粋）：
電流を流すための素子領域と,この素子領域の耐圧を持たせるために前記素子領域の周囲に形成されたリサーフ領域とを備えた電力用半導体素子において,オン状態での前記素子領域内のキャリア濃度が前記素子領域の外周部で前記素子領域の他の部分よりも低濃度となる部分を有することを特徴とする電力用半導体素子。
FI (3件)：
H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 655 A
